JFET와 MOSFET는 모두 필드 효과 트랜지스터(FET)로 분류되지만 몇 가지 차이점이 있습니다.
1. 제작 난이도: MOSFET은 JFET에 비해 제작하기가 더 쉽습니다.
2. 동작 모드: JFET는 디플리션 모드에서만 동작하지만, MOSFET은 공피 및 강화 모드 모두에서 동작할 수 있습니다.
3. 출력 특성: JFET의 드레인 저항이 MOSFET보다 높기 때문에 JFET의 출력 특성은 MOSFET의 출력 특성보다 평평합니다.
4. 게이트 누설 전류: JFET의 게이트 누설 전류는 나노 암페어 정도이고, MOSFET의 경우 게이트 누설 전류는 피코 암페어 수준입니다.
5. 입력 저항: JFET의 입력 저항은 약 10^8옴이고, MOSFET의 경우 입력 저항은 10^10~10^15옴입니다.
6. VLSI 회로에서의 사용: MOSFET은 JFET보다 VLSI 회로에서 널리 사용됩니다.
7. 과부하 전압 영향: MOSFET은 과부하 전압의 영향을 받기 쉬우므로 설치 중에 특별한 주의가 필요합니다.
8. 제로 오프셋 전압: MOSFET은 제로 오프셋 전압을 갖고 있으며, 소스 및 드레인 단자는 상호 교환될 수 있습니다.
이러한 차이점들로 인해 MOSFET은 JFET보다 더 널리 사용되고 있습니다.
(참고 URL: http://m.blog.naver.com/mymissu/221459777367)